Ширкат Samsung Electronics дар бораи оғози истеҳсоли оммавии аввалин системаи монокристалии System-on-Chip (SoC, тафсилотро дар ин ҷо хонед) дар раванди 10-нм FinFET.
10 нанометр аллакай дар бозор аст
"Нахустин ҳалли истеҳсоли оммавии 10 нм FinFET дар бозор пешвоии моро дар рушди технологияҳои пешрафта тасдиқ мекунад" гуфт Ён Ши-юн, Ноиби президенти иҷроия, сардори шӯъбаи истеҳсоли нимноқилҳо Samsung Электроника. - Мо минбаъд низ тамоми кӯшишро ба харҷ хоҳем дод, то технологияҳои инноватсионии миқёспазирро эҷод кунем ва ба корбарон қарорҳои дифференсиалии интегралӣ пешниҳод кунем."
Протсессори нав Samsung 10nm FinFET (10LPE) дорои сохтори пешрафтаи транзистори 3D мебошад. Технологияи амалиётӣ ва тарҳрезии он нисбат ба версияи қаблии 14 нм такмил дода шуда, 30% самаранокии мушаххаси рӯизаминӣ, 40% иҷрои баландтар ва 40% камтари масрафи нерӯро таъмин мекунад. Барои бартараф кардани маҳдудиятҳои миқёс, ҳалли нав ҳалли охирини техникӣ - сохтори сегонаро истифода мебарад. Он масири дутарафаро таъмин мекунад, то дар муқоиса бо моделҳои қаблӣ чандирии бештар дар тарҳрезӣ ва масирро дастгирӣ кунад.
Пеш Samsung насли якуми ҳалли протсесси технологии 10-нм (10LPE) пешниҳод кард. Насли дуюм (10LPP) корашро беҳтар кардааст, оғози истеҳсоли оммавии он дар нимаи дуюми соли 2017 ба нақша гирифта шудааст.
Дар хамкории зич бо шарикон Samsung инчунин ният дорад экосистемаи функсионалии нимноқилро эҷод кунад, ки ҷараёни истинод, IP ва абзорҳои тафтиши китобхонаро муттаҳид мекунад. Маҷмӯаи рушди истеҳсолот (PDK) ва маҷмӯаи рушди IP дар айни замон барои оғози меъморӣ дастрасанд.
Системаи 10nm SoC аз аввали соли оянда дар дастгоҳҳои рақамӣ истифода мешавад. Интизор меравад, ки онҳо дар соли 2017 ба истеъмолкунандагони оммавӣ дастрас шаванд. Шумо метавонед дар бораи ширкат маълумоти бештар гиред Онлайн .