TSMC, бузургтарин истеҳсолкунандаи маҳсулоти нимноқил, ба гуфтаи манбаъ, ба сохтмони маҷмааи истеҳсолӣ шурӯъ кардааст, ки дар он ҷо азхуд кардани раванди техникии 2 нанометрӣ дар назар аст. Комплекс маркази илмию тадқиқотӣ ва иншооти истеҳсолиро дар бар мегирад. Иншооти нав дар наздикии қароргоҳи ширкат дар боғи илмии Ҳсинчу (Тайван) ҷойгир хоҳанд шуд.
Тибқи маълумоти пешакӣ, технологияи Gate-All-Around (GAA) дар раванди 2 нанометрӣ истифода мешавад. Дар айни замон, истеҳсолкунанда ба нақша гирифтан ба коркарди 1 нанометрии процесси техникӣ шурӯъ кард.
Дар баробари технологияҳои истеҳсоли кристалл, ширкат технологияи бастабандии худро такмил медиҳад. Он ба нақша гирифтааст, ки қабули технологияҳои пешрафтаи бастабандӣ ба монанди SoIC, InFO, CoWoS ва WoW -ро суръат бахшад. Ҳамаи онҳо аз ҷониби TSMC ҳамчун Fabric 3D тасниф шудаанд, гарчанде ки баъзеи онҳо ба 2.5D ишора мекунанд. Ин технологияҳо дар нимсолаи дуюми соли 2021 дар хатти ҶуНан ва НанКе ба истеҳсоли оммавӣ ворид карда мешаванд.
Ҳамчунин хонед: