Интизор меравад, ки Samsung ҳафтаи оянда аз оғози истеҳсоли оммавии микросхемаҳои 3nm эълон хоҳад кард, хабар медиҳад Yonhap News. Ин ширкатро аз TSMC пеш мегузорад, ки интизор меравад дар нимаи дуюми соли ҷорӣ истеҳсоли микросхемаҳои 3 нмро оғоз кунад.
Дар муқоиса бо раванди 5 нм (ки барои Snapdragon 888 ва Exynos 2100 истифода шудааст), гиреҳи 3 нм-и Samsung майдонро 35% коҳиш медиҳад, иҷроишро 30% афзоиш медиҳад ва масрафи барқро 50% кам мекунад.
Ин тавассути гузаштан ба тарҳи транзистори Gate-All-Around (GAA) ба даст меояд. Ин қадами навбатӣ пас аз FinFET аст, зеро он имкон медиҳад, ки андозаи транзисторҳо бидуни осебпазирии қобилияти интиқоли ҷараён кам карда шаванд. Тарҳи GAAFET, ки дар гиреҳи 3nm истифода мешавад, дар расми зер нишон дода шудааст.
Президенти ИМА Ҷо Байден моҳи гузашта аз корхона дидан кард Samsung дар Пхёнтаек барои иштирок кардан дар намоиши технологияи 3nm Samsung. Соли гузашта овозаҳо паҳн шуда буданд, ки ширкат метавонад барои сохтани як рехтагарии 10 нм дар Техас 3 миллиард доллар сармоягузорӣ кунад. Ин сармояҳо то 17 миллиард доллар афзоиш ёфтааст.Интизор меравад, ин корхона соли 2024 ба кор шурӯъ кунад.
Дар ҳар сурат, бузургтарин нигаронӣ ҳангоми сохтани гиреҳи нав баромад аст. Дар мохи октябри соли гузашта Samsung изҳор дошт, ки иҷрои раванди 3nm "ба ҳамон сатҳи раванди 4nm наздик мешавад". Гарчанде ки ширкат рақамҳои расмӣ пешниҳод накардааст, таҳлилгарон боварӣ доранд, ки гиреҳи 4 нм Samsung бо проблемахои истехсоли махсулот алокаманд буд.
Дар соли 3 як гиреҳи насли дуюми 2023 нм дар назар аст ва харитаи роҳи ширкат инчунин гиреҳи 2 нм MBCFET-ро дар соли 2025 дар бар мегирад.
Шумо метавонед ба Украина дар мубориза бар зидди истилогарони рус кӯмак кунед. Роҳи беҳтарини иҷрои ин хайрия маблағ ба Қувваҳои Мусаллаҳи Украина мебошад Savelife ё тавассути саҳифаи расмӣ NBU.
Ҳамчунин хонед:
- Барраси Samsung Galaxy S21 FE 5G: ҳоло бешубҳа флагмани мухлисон аст
- Барраси Samsung Galaxy Tab S7 FE: Як созиши аҷиби оқилона