Агар Samsung Galaxy S8 як бозии компютерии ношири маъруф буд, ки онро аллакай ҳама хабарҳо ва овозаҳо дар гирду атроф паҳн карда метавонистанд. Ё аз ва ба сӯи тамошо, оё дастгоҳ филм аст. Аммо ин дафъа вазъият каме дигар аст - бародари калонии флагмани оянда, Samsung Galaxy S8 Plus, ки дар Geekbench фурӯзон шудааст.
Samsung Galaxy S8 Plus бо Exynos ба озмоиш рафт
Ва на танҳо даргиронда, балки равшан аст, ки на бо Qualcomm Snapdragon, балки Exynos аз силсилаи нӯҳум, ки рамзи 8895 дорад! Дарвоқеъ, овозаҳо дар бораи ду варианти конфигуратсия дар атрофи дастгоҳ аз замони эълон шудани набудани Snapdragon 835 паҳн мешуданд, ки ин ба он оварда расонд, ки чипи флагманӣ пайдо нашуд. дар LG G6.
Дар мавриди санҷиши Geekbench, рақамҳо, ба нармӣ гӯем, писанданд. Дастгоҳ 1978 хол дар Single-Core Score ва 6375 хол дар Multi-Core Score ба даст оварда, аз таснифоти SM-G955F гузашта, бо 4 ГБ хотираи оперативӣ кор мекунад ва Android 7.0 Нугат. Ҷолиб он аст, ки натиҷаҳое, ки 16 март пайдо шуданд, дар муқоиса бо Snapdragon 835 назар ба интизорӣ каме баландтар буданд.
Ҳамчунин хонед: обои Samsung Galaxy Шумо аллакай метавонед S8-ро дар смартфони худ ҷойгир кунед
Exynos 8895 умуман шабакаҳои гигабитии LTE-ро ба мисли 835 дастгирӣ мекунад, аммо аз ҷиҳати иҷроиш нисбат ба версияҳои қаблӣ 27 фоиз баландтар хоҳад буд. Ва муҳимтар аз ҳама, он аввалин протсессори ширкат ва ба эҳтимоли зиёд аввалин протсессори силсилавӣ дар ҷаҳон хоҳад буд, ки дар асоси технологияи 10-нанометрии FinFET сохта шудааст. Хотиррасон мекунам, ки ин расмист Samsung Galaxy S8 Plus дар паҳлӯи он намоиш дода мешавад Samsung Galaxy S8 аллакай 29 март дар Ню Йорк.
Манбаъ: gadgetspost