Samsung дар бораи оғози истеҳсоли оммавии хотираи 16 гигабитии DDR5 DRAM эълон кард, ки дар он раванди пешрафтаи технологии синфи 12-нанометрӣ дар саноат истифода мешавад. Ба анчом расондани процесси хозиразамони истехсолот рохбарии корхонаро бори дигар тасдик мекунад Samsung дар соҳаи технологияҳои пешрафтаи DRAM.
Дар муқоиса бо насли қаблӣ, RAM нав Samsung Синфи 5 нм DDR12 DRAM истеъмоли қувваи барқро 23% кам карда, иҷрои вафлиро 20% афзоиш медиҳад. Самаранокии барҷастаи энергетикӣ онро як ҳалли беҳтарин барои ширкатҳои ҷаҳонии IT месозад, ки мехоҳанд истеъмоли энергия ва изофаи карбонро дар серверҳо ва марказҳои додаҳои худ кам кунанд.
инкишоф Samsung Технологияи процесси 12 нм дар натичаи истифодаи материали нави дорои гузаронандагии баланд имконпазир мегардад, ки он ба баланд бардоштани иқтидори ҳуҷайраҳо мусоидат мекунад. Иқтидори баланд ба фарқияти назарраси потенсиалҳои электрикӣ дар сигналҳои додаҳо оварда мерасонад, ки фарқи дақиқи онҳоро осон мекунад. Кӯшишҳои ширкат барои паст кардани шиддати корӣ ва паст кардани садо инчунин барои эҷоди ҳалли оптималие, ки муштариён лозиманд, кӯмак карданд.
Бо суръати максималии 7,2 гигабит дар як сония, яъне ду филми 30 ГБ UHD-ро тақрибан дар як сония коркард кардан мумкин аст, хати 5 нм DDR12 DRAM-и Samsung рӯйхати афзояндаи барномаҳо, аз ҷумла марказҳои додаҳо, зеҳни сунъӣ ва ҳисоббарории насли ояндаро дастгирӣ мекунад.
Моҳи декабри соли гузашта, Samsung озмоиши 16 гигабитии DDR5 DRAM-и худро барои мутобиқат бо AMD анҷом дод ва кор бо ширкатҳои ҷаҳонии IT барои пешбурди инноватсия дар бозори насли ояндаи DRAM идома медиҳад.
Ҳамчунин хонед:
- Барраси Samsung Galaxy A34 5G: миёнарави мутавозин
- Барраси Samsung Galaxy A54 5G: подшоҳи нави миёнаравӣ?