Ширкат Samsung дар бораи вусъати хамкории худ бо АРМ эълон кард. Консорсиум ният дорад, ки аввалин микросхемаҳои бо истифода аз равандҳои технологии FinFET-и 7-нанометрӣ ва 5-нанометриро ба бозор барорад. Дар айни замон, онҳо дар басомади 3 ГГц ва болотар кор хоҳанд кард.
Чи хабар дода шуд
Ин чипҳо ба ядроҳои насли ояндаи Cortex-A76 асос меёбанд. Тавре ки интизор мерафт, раванди 7-нанометрӣ Samsung 7LPP (7 нм, Low Power Plus) дар нимаи дуюми соли ҷорӣ барои истеҳсол омода хоҳад шуд.
Ин аввалин процесси технологие хохад шуд, ки дар он нури ультрабунафш истифода мешавад. Samsung литография барои он дар диапазони сахти ултрабунафш (EUV) истеҳсол хоҳад кард. Процесси навбатии технологии 5LPE коркарди 7LPP хоҳад буд ва барои кам кардани андозаи кристаллҳо, инчунин кам кардани сарфи энергия имкон медиҳад.
Ҳамчунин хонед: Смартфони ҳамшаванда Samsung Galaxy X дар моҳи январи соли 2019 намоиш дода мешавад
Ядрои нави Cortex-A76 бояд Cortex-A75-ро иваз кунад. Чунон ки кайд карда шуд, вай аз чихати хосилнокии мехнат 35 фоиз, аз чихати сарфаи энергия 40 фоиз аз хафтоду панчум пеш мегузарад. Илова бар ин, иҷрои вазифаҳои омӯзиши мошинҳо чор баробар афзуд. Ва дар муқоиса бо Cortex-A73, афзоиш 50-150% хоҳад буд. Баъзан бартарият бо тартиби бузурги зиёд мешавад.
Кай интизор шудан
Пайдоиши аввалин системаҳои як чипӣ дар асоси ARM Cortex-A76 танҳо дар соли 2019 дар назар аст. Ин маънои онро дорад, ки дастгоҳҳои тайёр дар асоси онҳо танҳо дар охири соли оянда ё аввали соли 2020 бароварда мешаванд.
Дар айни замон, мо қайд мекунем, ки чунин афзоиши басомад таҷдиди ҷиддии системаи хунуккуниро талаб мекунад. Он инчунин метавонад ба «ҳаёти» батарея таъсири манфӣ расонад. Бо вуҷуди ин, Samsung зиёда аз як сол аст, ки бо батареяхои сахти дурушт кор мекунад. Шояд баровардани микросхемаҳои нав сабаби ба бозор ворид шудани онҳо гардад.
Як чиз равшан аст - ширкат ният дорад тавозуни қувваҳоро дар бозори қарорҳои мобилӣ бинобар равандҳои нави техникӣ тағйир диҳад. Мо интизори посух аз Qualcomm ва MediaTek ҳастем.
Сарчашма: Samsung