Дар брифинги охирин барои сармоягузорон Samsung эълон кард, ки истеҳсоли микросхемаҳои 3nm он дар чанд ҳафтаи оянда оғоз хоҳад шуд. Агар ин рӯй диҳад, пешрафти он нисбат ба TSMC тезтар хоҳад буд. Тибқи иттилои TSMC, раванди технологии 3nm бо меъмории FinFET дар нимаи дуюми сол ба истеҳсоли оммавӣ гузошта мешавад. Таҳлилгарони соҳа чунин мешуморанд, ки ҳарчанд Samsung иддао дорад, ки раванди 3nm ба истеҳсоли оммавӣ наздик мешавад, аз ҷиҳати зичии транзистор ва иҷрои он бо раванди TSMC 5nm ва 4nm Intel муқоиса карда мешавад. Аз ҷиҳати назариявӣ, чипи 3-нанометрӣ Samsung навтарин аст, аммо он то ҳол аз TSMC ақиб мемонад.
Samsung иддао дорад, ки дар муқоиса бо раванди меъмории феълии FinFET 7 нм, микросхемаҳои нави технологияи 3 нм метавонанд дар шиддати камтар аз 0,75 В кор кунанд. Ин сарфи умумии энергияро 50 фоиз кам мекунад. Он инчунин иҷрои корро 30% беҳтар мекунад ва андозаи чипро 45% кам мекунад.
Гарчанде ки технологияи 3 нм Samsung бо раванди 4nm TSMC муқоиса карда мешавад, фарохмаҷро ва самаранокии назорати ихроҷи пештара беҳтар хоҳад шуд. Ин ба эҳтимоли зиёд баланд бардоштани самаранокиро таъмин мекунад.
Бо вуҷуди ин, бузургтарин тағирёбанда, ки то ҳол маълум нест, ин аст, ки натиҷаи хуби раванди 3nm метавонад то чӣ андоза хуб бошад. Samsung. Технологияи 4 нм Samsung иҷрои хеле паст дорад ва ин ба муштариёни асосӣ водор мекунад, ки TSMC-ро интихоб кунанд. Мувофики маълумотхои саноат, махсулотбарорй Samsung дар бораи 3 nm раванди танҳо дар бораи 10%, балки Samsung инро тасдиқ накард.
Саноат чунин мешуморад, ки чунин истехсолкунандагон монанди Apple, AMD, NVIDIA, Qualcomm, Intel ва MediaTek муштариёни асосии TSMC дар марҳилаи аввали истеҳсоли оммавии технологияи 3-нанометрӣ бо замимаҳо дар компютерҳои баландсуръат, смартфонҳо ва дигар соҳаҳо хоҳанд буд. TSMC мегӯяд, ки он пас аз истеҳсоли оммавии раванди 3nm дар нимаи дуюми соли ҷорӣ пешсаф дар PPA (иҷро, масрафи нерӯ ва масоҳат) ва технологияи транзистор хоҳад шуд.
Илова бар ин, TSMC инчунин ба як раванди пешрафтаи 2nm оғоз кард. Интизор меравад, ки истеҳсоли озмоишӣ дар соли 2024 оғоз шавад ва истеҳсоли оммавӣ барои соли 2025 пешбинӣ шудааст. Гуфтан хушбин аст, ки раванди 2nm технологияи пешбари соҳа ва технологияи мувофиқтарин барои дастгирии шумораи афзояндаи муштариён мегардад.
Шумо метавонед ба Украина дар мубориза бар зидди истилогарони рус кӯмак кунед. Роҳи беҳтарини иҷрои ин хайрия маблағ ба Қувваҳои Мусаллаҳи Украина мебошад Savelife ё тавассути саҳифаи расмӣ NBU.
Ҳамчунин хонед:
- Стартапи кайҳонии Украина таҷҳизот барои эҳтиёҷоти низомӣ таҳия мекунад
- TSMC барои оғози кор чипҳои 2 нм ва 3 нм омода мекунад